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M35B32-WMC63GK

更新时间： 2024-02-04 16:02:22

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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42页	321K
描述
IC,SERIAL EEPROM,4KX8,CMOS,LLCC,8PIN,PLASTIC

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M35B32-WMC63GK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
端子数量：	8	字数：	4096 words
字数代码：	4000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SON
封装等效代码：	SOLCC8,.11,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.004 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

M35B32-WMC63GK 数据手册

M35B32

32 Kbit, 256-byte page, fast program EEPROM memory

accessed by SPI bus interface

Target specification

Features

■ SPI bus compatible serial interface

■ 32 Kbit of EEPROM divided into two sectors:

– Data sector

– Event sector

■ Large page size: 256 bytes

■ Fast programming:

SO8 (MN)

150 mil width

– Event sector: 256 bytes programmed in

less than 1 ms

– Data sector: 256 bytes written in less than

5 ms

■ Low energy EEPROM in either Read, Write,

Program or Erase modes

TSSOP8 (DW)

169 mil width

■ 2.5 V to 5.5 V single supply voltage

■ Operating temperature range:

– –40°C to +85°C

– –40°C to +125°C

■ Operating frequency, f_C= 20 MHz

■ Electronic signature: 20 10 0Ch

■ Data cycling:

UFDFPN8 (MC)

2 x 3 mm

– Data sector: more than 1 Million write

cycles

– Event sector: more than 10 000 write

cycles

■ Data retention:

– Data sector: more than 40 years’ data

retention

– Event sector: 1 year

■ Packages

– ECOPACK® (RoHS compliant)

May 2011

Doc ID 18391 Rev 3

1/42

This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...42

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