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M34C02-BN1

更新时间: 2024-09-29 08:46:35
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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17页 912K
描述
256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

M34C02-BN1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.55 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X8输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.9 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE/SOFTWARE

M34C02-BN1 数据手册

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