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M29W800B-120N5RTR

更新时间: 2024-10-01 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 1940K
描述
1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP-48

M29W800B-120N5RTR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, REVERSE, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.7最长访问时间:120 ns
备用内存宽度:16启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29W800B-120N5RTR 数据手册

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