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M29F400T-55N6

更新时间： 2023-01-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
34页	2477K
描述
256KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F400T-55N6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.51	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29F400T-55N6 数据手册

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M29F400T-55N6RTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M29F400T-55N6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400T-70M1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F400T-70M1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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