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M28F102-120N6TR

更新时间： 2024-02-04 21:54:07

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	174K
描述
64KX16 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M28F102-120N6TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	12.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

M28F102-120N6TR 数据手册

M28F102

1 Megabit (64K x 16, Chip Erase) FLASH MEMORY

FAST ACCESS TIME: 90ns

LOW POWER CONSUMPTION

– Standby Current: 100µA Max

10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES

12V PROGRAMMING VOLTAGE

TYPICAL BYTE PROGRAMMING TIME 10µs

(PRESTO F ALGORITHM)

ELECTRICALCHIP ERASE in 1s RANGE

PLCC44 (K)

TSOP40 (N)

10 x 14mm

INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP

TIMER

OTP COMPATIBLE PACKAGES and

PINOUTS for PLCC44 and TSOP40

Figure 1. Logic Diagram

EXTENDED TEMPERATURE RANGES

DESCRIPTION

The M28F102 FLASH MEMORY is a non-volatile

memory which may be erased electrically at the

chip level and programmed word-by-word. It is

organised as 64K words of 16 bits. It uses a com-

mand register architecture to select the operating

modes and thus provides a simple microprocessor

interface. The M28F102 FLASH MEMORY is suit-

able for applications where the memory has to be

reprogrammed in the equipment. The access time

of 100ns makes the device suitable for use in high

speed microprocessor systems.

A0-A15

DQ0-DQ15

M28F102

Table 1. Signal Names

A0 - A15

Address Inputs

Data Inputs / Outputs

Chip Enable

DQ0 - DQ15

AI00627B

Output Enable

Write Enable

V_PP

V_CC

V_SS

Program Supply

Supply Voltage

Ground

September 1995

1/20

12 3 4 5 6 7...20

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