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M27W512-150K6F

更新时间： 2024-01-16 17:29:30
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
21页 372K
描述
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W512-150K6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82最长访问时间：100 ns
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e3
长度：13.97 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：250
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

M27W512-150K6F 数据手册

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M27W512  
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
■
2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
Figure 1. Packages  
OPERATION  
■
ACCESS TIME:  
–
–
70ns at VCC = 3.0 to 3.6V  
80ns at VCC = 2.7 to 3.6V  
■
■
PIN COMPATIBLE with M27C512  
LOW POWER CONSUMPTION:  
28  
–
–
15µA max Standby Current  
15mA max Active Current at 5MHz  
1
FDIP28W (F)  
■
■
PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
–
–
2000V ESD Protection  
200mA Latchup Protection Immunity  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
28  
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
1
–
PDIP28 (B)  
PLCC32 (K)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
1/21  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W512-150K6TR STMICROELECTRONICS

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 		512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W512-150N4TR STMICROELECTRONICS

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 		64KX8 OTPROM, 150ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
M27W512-150N6 STMICROELECTRONICS

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 		512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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