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M27C512-10C3E

更新时间: 2024-02-12 22:09:07
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 399K
描述
512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM

M27C512-10C3E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.6最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQCC-J32
长度:13.995 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.455 mmBase Number Matches:1

M27C512-10C3E 数据手册

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M27C512  
512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ  
OPERATION  
Figure 1. Packages  
ACCESS TIME: 45ns  
LOW POWER “CMOS” CONSUMPTION:  
Active Current 30mA  
Standby Current 100µA  
28  
PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V  
PROGRAMMING TIMES of AROUND 6sec.  
ELECTRONIC SIGNATURE  
1
FDIP28W (F)  
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
28  
1
PDIP28 (B)  
PLCC32 (C)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
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