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M0280RJ250

更新时间： 2024-01-07 13:31:49

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力特 - LITTELFUSE		软恢复二极管
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9页	693K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2500V V(RRM), Silicon,

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M0280RJ250 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	应用：	SOFT RECOVERY
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.71 V	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	4950 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	280 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2500 V
最大反向电流：	20000 µA	最大反向恢复时间：	2.8 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

M0280RJ250 数据手册

Soft Recovery Diode Types M0280S/R#200 to M0280S/R#250

Notes on Ratings and Characteristics

1.0 Voltage Grade Table

Voltage Grade

V_RRM

(V)

V_RSM

(V)

V_Rdc

(V)

2000

2500

2100

2600

1250

1500

2.0 De-rating Factor

A blocking voltage de-rating factor of 0.13% per °C is applicable to this device for T_jbelow 25°C.

3.0 ABCD Constants

These constants (applicable only over current range of V_Fcharacteristic in Figure 1) are the coefficients of

the expression for the forward characteristic given below:

V_F A Bln(I_F)  C  I_F D I_F

where I_F= instantaneous forward current.

4.0 Reverse recovery ratings

(i) Q_rais based on 50% I_rmchord as shown in Fig.(a) below.

(ii) Q_rris based on a 150s integration time.

150s

Q_rr i_rr.dt

I.e.



t₁

K Factor 

(iii)

t₂

Data Sheet. Types M0280S/R#200 to M0280S/R#250 Issue 2

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November 2014

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M0280RP200-250	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2500V V(RRM), Silicon,	获取价格
M0280SC200	LITTELFUSE	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2000V V(RRM), Silicon,	获取价格
M0280SC200	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2000V V(RRM), Silicon,	获取价格
M0280SC220	IXYS	DIODE 123 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode	获取价格
M0280SC240	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 123A, 2400V V(RRM), Silicon,	获取价格
M0280SC250	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2500V V(RRM), Silicon,	获取价格