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LY62256DL-35LLI

更新时间： 2024-01-22 13:25:48

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台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	292K
描述
32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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LY62256DL-35LLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIP,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	35.306 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	5.334 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm

LY62256DL-35LLI 数据手册

LY62256

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

Rev. 2.9

REVISION HISTORY

Revision Description

Issue Date

Rev. 1.0. Initial Issue

Jul.25.2004

Rev. 2.0. Revised Vcc Range(Vcc=4.5~5.5V => 2.7~5.5V)

Rev. 2.1. Revised I_SB1

May.4.2005

May.13.2005

Aug.29.2005

Feb.24.2006

Jul.31.2006

Rev. 2.2

Rev. 2.3

Rev. 2.4

Adding PKG type : skinny P-DIP

Revised V_IH(min)=2.4V, V_IL(max)=0.6V

Revised V_IH(min)=2.4V, V_IL(max)=0.6V (V_CC=2.7~3.6V)

V_IH(min)=2.4V, V_IL(max)=0.8V (V_CC=4.5~5.5V)

Revised STSOP Package Outline Dimension

Added SL grade

Rev. 2.5

Rev. 2.6

Mar.26.2008

Mar.30.2009

℃

Added I_SB1/I_DRvalues when T_A= 25 and T_A= 40

FEATURES ORDERING INFORMATION

Lead

Revised

free and green package available to Green package available

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Revised I_SB1(MAX)

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

Rev. 2.7

Dec.18.2009

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 8 & 9

Rev. 2.8

Rev. 2.9

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

ORDERING INFORMATION

in page 10

in page 12

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

in page 9

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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