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LY622568LL-45SLIT

更新时间： 2024-02-23 19:53:55

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台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	293K
描述
256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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LY622568LL-45SLIT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP1,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

LY622568LL-45SLIT 数据手册

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LY622568

256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

Rev. 2.4

REVISION HISTORY

Revision

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Description

Initial Issue

Revised I_SB1/I_DR/Test Condition of I_CC

Adding PKG type : 32 P-DIP

Issue Date

Aug.29.2005

Oct.31.2005

May.14.2007

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

Adding SL Spec.

Revised ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Rev. 2.0

Rev. 2.1

Jul.26.2007

Mar.30.2009

℃

Added I_SB1/I_DRvalues when T_A= 25 and T_A= 40

Revised I_{SB1 (MAX)}of SL grade

FEATURES ORDERING INFORMATION

Lead

Revised

free and green package available to Green package available

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

Revised -35ns to -45ns Spec.

Revised V_DR

Rev. 2.2

Rev. 2.3

Rev. 2.4

Sep.11.2009

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 8/9/11

in page 10

ORDERING INFORMATION

in page 12

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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