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LTR-4206 PDF预览

LTR-4206

更新时间： 2024-01-27 05:20:06
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 258K
描述
NPN T-1 Standard Phototransistor

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LTR-4206 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67其他特性：HIGH SENSITIVITY
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
最大暗电源：100 nA红外线范围：YES
标称光电流：6.4 mA功能数量：1
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR形状：ROUND
尺寸：3 mmBase Number Matches：1

LTR-4206 数据手册

 浏览型号LTR-4206的Datasheet PDF文件第2页 
NPN T-1 Standard  
Phototransistor  
LTR-4206/LTR-4206E  
Features  
Wide range of collector currents.  
Lens for high sensitivity.  
Low cost plastic package.  
Package Dimensions  
Description  
The LTR-4206 series consist of a NPN silicon  
phototransistor mounted in a lensed, clear plastic, end  
looking package. The lensing effect of the package  
allows an acceptance half angle of 10 measured from  
the optical axis to the half power point. This series is  
mechanically and spectrally matched to the LTE-4206  
series of infrared emitting diodes. The LTR-4206E is a  
special dark plastic package that cut the visible light  
and suitable for the detectors of infrared application.  
Notes:  
1. All dimensions are in millimeters (inches).  
2. Tolerance is 0.25mm (.010") unless otherwise noted.  
3. Protruded resin under flange is 1.5mm (.059") max.  
4. Lead spacing is measured where the leads emerge from  
the package.  
5. Specifications are subject to change without notice.  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25  
Parameter  
Maximum Rating  
Unit  
Power Dissipation  
100  
30  
5
mW  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Collector Voltage  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
V
-40 to +85  
-55 to +100  
Lead Soldering Temperature  
[1.6mm (.063 in.) from body]  
260 for 5 Seconds  
Electrical Optical Characteristics at Ta=25  
Test  
Parameter  
Symbol  
Part No.  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
Condition  
IC=1mA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
30  
V
Ee=0mW/cm2  
IE=100  
A
Emitter-Collector Breakdown Voltage  
Collector Emitter Saturation Voltage  
V(BR)ECO  
VCE(SAT)  
5
V
Ee=0mW/cm2  
IC=100  
A
0.4  
V
Ee=1mW/cm2  
VCC=5V  
Rise Time  
Fall Time  
Tr  
10  
15  
S
IC=1mA  
Tf  
S
RL=1K  
VCE=10V  
Collector Dark Current  
ICEO  
100  
nA  
mA  
Ee=0mW/cm2  
VCE=5V  
LTR-4206  
1
1
4
2
Ee=1mW/cm2  
On State Collector Current  
IC(ON)  
LTR-4206E  
=940nm  
10-31  
12

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LTR-4206 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PT380 SHARP

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 High Sensitivity, f 3mm Resin Mold Type Phototransistor

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