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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.25 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 4 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LTE21009RTRAY | NXP |
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TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power |
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| LTE21015R | NXP |
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NPN microwave power transistor |
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| LTE21015RTRAY | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power |
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| LTE21025R | NXP |
获取价格 |
NPN microwave power transistor |
|
| LTE21025RTRAY | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power |
|
| LTE239 | ETC |
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Optoelectronic |
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| LTE-239 | LITEON |
获取价格 |
Property of Lite-On Only |
|
| LTE239C | ETC |
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Optoelectronic |
|
| LTE-239C | LITEON |
获取价格 |
Property of Lite-On Only |
|
| LTE2871 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
|
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