5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8504.50.80.00 |
| 风险等级： | 5.84 | 型芯材料： | NON-MAGNETIC |
| 直流电阻： | 0.5 Ω | 标称电感 (L)： | 0.082 µH |
| 电感器应用： | RF INDUCTOR | 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 90 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最小质量因数（标称电感时）： | 30 | 最大额定电流： | 0.438 A |
| 形状/尺寸说明： | RECTANGULAR PACKAGE | 屏蔽： | NO |
| 表面贴装： | YES | 端子位置： | DUAL ENDED |
| 端子形状： | J BEND | 测试频率： | 50 MHz |
| 容差： | 3% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LP-820J | API |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
|
| LP-820K | API |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 0.082uH, 10%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD, 1111, |
|
| LP-820M | API |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 0.082uH, 20%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
|
| LP821 | POLYFET |
获取价格 |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
|
| LP82188 | INTEL |
获取价格 |
Bus Controller, MOS, PDIP28 |
|
| LP821M063A1P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
|
| LP821M100E1P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
|
| LP821M200H3P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
|
| LP821M200H7P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
|
| LP821M250H7P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
