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LMH6560MAX/NOPB PDF预览

LMH6560MAX/NOPB

更新时间： 2024-01-10 03:56:22
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 873K
描述
BUFFER AMPLIFIER, PDSO14, SOIC-14

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LMH6560MAX/NOPB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.82
放大器类型：BUFFER最大平均偏置电流 (IIB)：14 µA
标称带宽 (3dB)：280 MHz最大输入失调电压：25000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.6235 mm湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-6.5 V标称负供电电压 (Vsup)：-5 V
功能数量：1端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最小输出电流：0.05 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5/+-5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.753 mm
标称压摆率：3100 V/us子类别：Buffer Amplifiers
最大压摆率：63 mA供电电压上限：6.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.899 mmBase Number Matches：1

LMH6560MAX/NOPB 数据手册

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OBSOLETE  
LMH6560  
www.ti.com  
SNOSA58D –APRIL 2003–REVISED APRIL 2013  
3V Electrical Characteristics  
Unless otherwise specified, all limits ensured for TJ = 25°C, V+ = 3V, V− = 0V, VO = VCM = V+/2 and RL = 100Ω to V+/2.  
Boldface limits apply at the temperature extremes.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min(1)  
Typ(2)  
Max(1)  
Units  
Frequency Domain Response  
SSBW  
GFN  
Small Signal Bandwidth  
Gain Flatness < 0.1dB  
VO < 0.5VPP  
VO < 0.5VPP  
265  
40  
MHz  
MHz  
MHZ  
FPBW  
Full Power Bandwidth (−3dB)  
VO = 1VPP (+4.5dBm)  
115  
Time Domain Response  
tr  
Rise Time  
1V Step (20-80%)  
1.1  
1.3  
11  
ns  
ns  
tf  
Fall Time  
ts  
Settling Time to 0.1%  
Overshoot  
1V Step  
0.5V Step  
See(3)  
ns  
OS  
SR  
0
%
Slew Rate  
480  
V/µs  
Distortion And Noise Performance  
HD2  
HD3  
THD  
en  
2nd Harmonic Distortion  
3rd Harmonic Distortion  
Total Harmonic Distortion  
Input-Referred Voltage Noise  
1dB Compression Point  
Amplifier Crosstalk  
VO = 0.5VPP; f = 20MHz  
VO = 0.5VPP; f = 20MHz  
VO = 0.5VPP; f = 20MHz  
f = 1MHz  
−55  
−61  
−54  
3
dBc  
dBc  
dBc  
nV/√Hz  
dBm  
dB  
CP  
f = 10MHz  
+4  
CT  
Receiving Amplifier:  
−55  
RS = 50Ω to V+/2; f = 10MHz  
SNR  
AGM  
Signal to Noise Ratio  
f = 5MHz; VO = 1VPP  
RL = 2kΩ to V+/2;  
120  
0.4  
dB  
dB  
Amplifier Gain Matching  
f = 5MHz; VO = 1VPP  
Static, DC Performance  
ACL  
Small Signal Voltage Gain  
VO = 100mVPP  
0.97  
0.99  
0.99  
0.997  
1.6  
RL = 100Ω to V+/2  
V/V  
VO = 100mVPP  
RL = 2kΩ to V+/2  
VOS  
Input Offset Voltage  
8
10  
mV  
μV/°C  
μA  
TC VOS  
IB  
Temperature Coefficient Input Offset See(4)  
Voltage  
2.6  
Input Bias Current  
See(5)  
−3  
−3.5  
−1.4  
0.3  
TC IB  
ROUT  
Temperature Coefficient Input Bias  
Current  
See(4)  
nA/°C  
Output Resistance  
RL = 100Ω to V+/2; f = 100kHz  
RL = 100Ω to V+/2; f = 10MHz  
2.1  
2.8  
65  
Ω
PSRR  
IS  
Power Supply Rejection Ratio  
Supply Current, All 4 Buffers  
VS = +3V to VS = +3.5V;  
VIN = VS/2  
48  
46  
dB  
No Load  
11  
15  
mA  
18  
(1) All limits are specified by testing or statistical analysis.  
(2) Typical Values represent the most likely parametric norm.  
(3) Slew rate is the average of the positive and negative slew rate. Average Temperature Coefficient is determined by dividing the change  
in a parameter at temperature extremes by the total temperature change.  
(4) Average Temperature Coefficient is determined by dividing the change in a parameter at temperature extremes by the total temperature  
change.  
(5) Positive current corresponds to current flowing into the device.  
Copyright © 2003–2013, Texas Instruments Incorporated  
Submit Documentation Feedback  
7
Product Folder Links: LMH6560  
1...45678910...28

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