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LMH6559MA/NOPB

更新时间： 2024-01-20 20:14:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
40页 1699K
描述
1750MHz 高速闭环缓冲器 | D | 8 | -40 to 85

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LMH6559MA/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.1放大器类型：BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB)：14 µA标称带宽 (3dB)：1050 MHz
最大输入失调电压：25000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.902 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-6.5 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最小输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5/+-5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.753 mm标称压摆率：4580 V/us
子类别：Buffer Amplifiers最大压摆率：17 mA
供电电压上限：6.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.899 mmBase Number Matches：1

LMH6559MA/NOPB 数据手册

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LMH6559  
SNOSA57C –APRIL 2003–REVISED MARCH 2013  
www.ti.com  
5V Electrical Characteristics (continued)  
Unless otherwise specified, all limits ensured for TJ = 25°C, V+ = 5V, V− = 0V, VO = VCM = V+/2 and RL = 100Ω to V+/2.  
Boldface limits apply at the temperature extremes.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
(1)  
(2)  
(1)  
Miscellaneous Performance  
RIN  
CIN  
VO  
Input Resistance  
200  
2.0  
kΩ  
Input Capacitance  
Output Swing Positive  
pF  
RL = 100Ω to V+/2  
3.80  
3.88  
3.75  
V
RL = 2kΩ to V+/2  
RL = 100Ω to V+/2  
RL = 2kΩ to V+/2  
3.94  
3.92  
3.98  
1.12  
1.03  
Output Swing Negative  
1.20  
1.25  
V
1.06  
1.09  
ISC  
Output short circuit Current  
Linear Output Current  
Sourcing: VIN = +VS, VO = V+/2  
Sinking: VIN = −VS, VO = V+/2  
Sourcing: VIN - VO = 0.5V(6)  
−57  
26  
mA  
mA  
IO  
−50  
−43  
−64  
Sinking: VIN - VO = −0.5V(6)  
30  
42  
23  
(6) Positive current corresponds to current flowing into the device.  
3V Electrical Characteristics  
Unless otherwise specified, all limits ensured for TJ = 25°C, V+ = 3V, V− = 0V, VO = VCM = V+/2 and RL = 100Ω to V+/2.  
Boldface limits apply at the temperature extremes.  
Min  
Typ  
Max  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
(1)  
(2)  
(1)  
Frequency Domain Response  
SSBW  
GFN  
Small Signal Bandwidth  
Gain Flatness < 0.1dB  
VO < 0.5VPP  
VO < 0.5VPP  
315  
44  
MHz  
MHz  
MHZ  
FPBW  
Full Power Bandwidth (−3dB)  
VO = 1VPP (+4.5dBm)  
265  
Time Domain Response  
tr  
Rise Time  
1.0V Step (20-80%)  
0.8  
1.2  
10  
ns  
ns  
tf  
Fall Time  
ts  
Settling Time to ±0.1%  
Overshoot  
1V Step  
0.5V Step  
See(3)  
ns  
OS  
SR  
0
%
Slew Rate  
770  
V/µs  
Distortion And Noise Performance  
HD2  
HD3  
THD  
en  
2nd Harmonic Distortion  
3rd Harmonic Distortion  
Total Harmonic Distortion  
Input-Referred Voltage Noise  
1dB Compression point  
Signal to Noise Ratio  
VO = 2VPP, f = 20MHz  
VO = 2VPP, f = 20MHz  
VO = 2VPP, f = 20MHz  
f = 1MHz  
−74  
−57  
−56  
3.9  
+4  
dBc  
dBc  
dBc  
nV/Hz  
dBm  
dB  
CP  
f = 10MHz  
SNR  
f > 100kHz, BW = 5MHz,  
VO = 350mVrms  
92  
(1) All limits are specified by testing or statistical analysis.  
(2) Typical values represent the most likely parametric norm as determined at the time of characterization. Actual typical values may vary  
over time and will also depend on the application and configuration. The typical values are not tested and are not ensured on shipped  
production material.  
(3) Slew rate is the average of the positive and negative slew rate.  
6
Submit Documentation Feedback  
Copyright © 2003–2013, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Links: LMH6559  
1...3456789...40

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