LMC6001BIN

更新时间： 2024-01-16 16:36:44

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美国国家半导体 - NSC		运算放大器放大器电路光电二极管
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14页	308K
描述
Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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LMC6001BIN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.68
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.000001 µA	标称共模抑制比：	83 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	2000 µV
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
负供电电压上限：		标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装等效代码：	DIE OR CHIP
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
功率：	NO	电源：	5/15 V
可编程功率：	NO	认证状态：	Not Qualified
最小摆率：	0.6 V/us	标称压摆率：	1.5 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	0.95 mA
供电电压上限：	16 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	标称均一增益带宽：	1300 kHz
最小电压增益：	60000	宽带：	NO
Base Number Matches：	1

LMC6001BIN 数据手册

DC Electrical Characteristics (Continued)

Limits in standard typeface guaranteed for T_J25˚C and limits in boldface type apply at the temperature extremes. Unless

−

otherwise specified, V⁺5V, V

0V, V_CM1.5V, and R_L1M.

Symbol

Parameter

Conditions

Limits (Note 5)

Units

Typical

(Note 4)

LMC6001AI LMC6001BI LMC6001CI

I_O

Output Current

Sourcing, V⁺5V,

V_O0V

Sinking, V⁺5V,

V_O5V

Sourcing, V⁺15V,

min

V_O0V

Sinking, V⁺15V,

V_O13V (Note 10)

V⁺5V, V_O1.5V

450

550

750

900

850

950

750

900

850

950

750

900

850

950

I_S

Supply Current

µA

max

V⁺15V, V_O7.5V

www.national.com

1 2 345 6 7...14

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