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LM4889

更新时间: 2024-01-17 21:27:30
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美国国家半导体 - NSC 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
19页 760K
描述
1 Watt Audio Power Amplifier

LM4889 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP, TSSOP8,.19
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:0.85
商用集成电路类型:AUDIO AMPLIFIER增益:36 dB
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:3 mm湿度敏感等级:1
信道数量:1功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C标称输出功率:1.2 W
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.19封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.6/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.07 mm子类别:Audio/Video Amplifiers
最大压摆率:8 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.2 V表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3 mmBase Number Matches:1

LM4889 数据手册

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Typical Performance Characteristics  
THD+N vs Frequency  
THD+N vs Frequency  
at VDD = 5V, 8RL, and PWR = 250mW  
at VDD = 3.3V, 8RL, and PWR = 150mW  
20035837  
20035838  
THD+N vs Frequency  
THD+N vs Frequency  
at VDD = 2.6V, 8RL, and PWR = 100mW  
at VDD = 2.6V, 4RL, and PWR = 100mW  
20035839  
20035840  
THD+N vs Power Out  
THD+N vs Power Out  
at VDD = 5V, 8RL, 1kHz  
at VDD = 3.3V, 8RL, 1kHz  
20035875  
20035842  
5
www.national.com  

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