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LL48

更新时间： 2024-01-02 23:25:37
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SYNSEMI 肖特基二极管
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1页 25K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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LL48 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MELF
包装说明：ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.44
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-LDSO-N2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.35 A
封装主体材料：GLASS封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.33 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

LL48 数据手册

  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
LL48  
MiniMELF (SOD-80C)  
FEATURES :  
Cathode Mark  
• For general purpose applications  
• These diodes feature very low turn-on voltage and  
fast switching. These devices are protected by a  
PN junction guard ring against excessive voltage,  
such as electrostatic discharges  
f 0.063 (1.64)  
0.055 (1.40)  
0.019(0.48)  
0.011(0.28)  
0.142(3.6)  
• This diode is also available in the DO-35 case  
with type designations BAT48.  
0.134(3.4)  
• Pb / RoHS Free  
Mounting Pad Layout  
0.098 (2.50)  
Max.  
MECHANICAL DATA :  
Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80C)  
Weight: approx. 0.05g  
0.049 (1.25)Min.  
0.079 (2.00)Min.  
0.197 (5.00)  
REF  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
IF  
Value  
Unit  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
40  
350(1)  
1(1)  
7.5(1)  
330(1)  
V
mA  
A
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current at tp < 1s,  
Forward Surge Current at tp < 10 ms,  
Power Dissipation ,Ta = 80 °C  
IFSM  
A
PD  
mW  
°C/W  
°C  
300(1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
Rq  
JA  
TJ  
125  
Ambient Operating Temperature Range  
Storage temperature range  
Ta  
TS  
-65 to + 125  
-65 to + 150  
°C  
°C  
Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Parameter  
Symbol  
V(BR)R  
IR = 100 mA (pulsed)  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Current  
40  
-
-
V
VR = 10 V  
VR = 20 V  
VR = 40 V  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
IF = 500mA  
VR = 1V, f = 1MHz  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
5
25  
0.30  
0.40  
0.50  
0.75  
0.90  
IR  
mA  
Pulse Test tp <300ms , d <2%  
Forward Voltage  
Pulse Test tp <300ms , d <2%  
VF  
V
Diode Capacitance  
Cd  
-
12  
-
pF  
Page 1 of 1  
Rev. 02 : March 24, 2005  
1

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