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LH52B256LLD-100LL

更新时间: 2024-02-29 17:03:31
品牌 Logo 应用领域
夏普 - SHARP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 393K
描述
CMOS 32 x 8 Static RAM

LH52B256LLD-100LL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
其他特性:LOW-POWER STANDBY WHEN DESELECTEDJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:34.7 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.4 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

LH52B256LLD-100LL 数据手册

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