是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | REVERSE, TSOP1-48 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.81 | 最长访问时间: | 85 ns |
其他特性: | BOTTOM BOOT BLOCK | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8,15 |
端子数量: | 48 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/5 V |
编程电压: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 4K,32K |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.065 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LH28F800BGR-L12 | SHARP |
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Memory IC, | |
LH28F800BGR-L85 | SHARP |
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Memory IC, | |
LH28F800BGRTL12 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BGR-TL12 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BGRTL85 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BGR-TL85 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BGXX-XL12 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BGXX-XL85 | SHARP |
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8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories | |
LH28F800BJB-PBTL10 | ETC |
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Flash ROM | |
LH28F800BJB-PBTL90 | ETC |
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Flash ROM |