LFTVS7-1F3

更新时间： 2024-01-26 10:20:36

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描述
Low forward voltage TransiTM, transient voltage suppressor

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LFTVS7-1F3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	FLIP-CHIP	包装说明：	ROHS COMPLIANT, FLIPCHIP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	8.05	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	7 V	击穿电压标称值：	7 V
最大钳位电压：	10 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B4	最大非重复峰值反向功率耗散：	350 W
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LFTVS7-1F3 数据手册

LFTVS7-1F3

Figure 3.

Characteristics

Relative variation of peak pulse

power versus initial junction

temperature

Figure 4.

Peak pulse power versus

exponential pulse duration

(typical value)

[T initial] / P [T initial=25°C]

j PP j

(W)

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

10000

1000

100

initial = 25° C

T (°C)

t (µs)

100

1000

100

125

150

Figure 5.

Clamping voltage versus peak

pulse current (typical values)

Figure 6.

Relative variation of leakage

current versus junction

temperature (typical values)

I (A)

I [T ] / I [T =25°C]

10.0

= 10/1000 µs

= 5.5 V

initial = -30° C

initial = 25° C

initial = 85° C

1.0

T (°C)

(V)

0.1

100

125

150

Figure 7.

Forward voltage drop versus peak Figure 8.

forward current (typical values)

Junction capacitance versus

reverse voltage applied

(typical values)

Capacitance(pF)

(A)

1.E+02

1.E+01

1.E+00

1.E-01

1.E-02

800

600

400

initial = 25° C

initial = 85° C

initial = -30° C

200

(V)

Voltage(V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

1.1

2.2

3.3

4.4

5.5

3/8

1 234 5 6 7 8

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