LFTVS7-1F3

更新时间： 2024-02-07 05:00:48

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描述
Low forward voltage TransiTM, transient voltage suppressor

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LFTVS7-1F3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	FLIP-CHIP	包装说明：	ROHS COMPLIANT, FLIPCHIP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	8.05	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	7 V	击穿电压标称值：	7 V
最大钳位电压：	10 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B4	最大非重复峰值反向功率耗散：	350 W
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LFTVS7-1F3 数据手册

Characteristics

LFTVS7-1F3

Characteristics

Table 1.

Symbol

Absolute maximum ratings (T

Parameter

= 25 °C)

amb

Test condition

Value

Unit

Peak pulse power dissipation

(10/1000 µs pulse)

P_PP

T_jinitial = T_amb

Peak pulse power dissipation

(8/20 µs pulse)

350

Non repetitive surge peak forward

current

t_p= 10 ms

T_jinitial = T_amb

I_FSM

T_j

Maximum operating junction temperature

Storage temperature range

125

°C

T_stg

-55 to +150

°C

Table 2.

Symbol

Electrical characteristics (T

= 25 °C)

amb

Parameter

V_BR

I_RM

V_RM

V_CL

R_d

Breakdown voltage

I_F

Leakage current @ V_RM

Stand-off voltage

V_F

Clamping voltage

_CLV_BRV_RM

I_RM

Dynamic impedance

Peak pulse current

I_PP

αT

Voltage temperature coefficient

Forward voltage drop

Slope = 1/Rd

I_PP

V_F

Symbol

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_BR

I_RM

V_CL

V_F

I_R= 15 mA

V_RM= 5.5V

I_PP= 1 A⁽¹⁾

I_F= 850 mA

500

1.05

αT

10^-4/ °C

C_line

V_R= 0 V, V_OSC= 30 mV, F = 1 MHz

320

1. 8 / 20 µs pulse waveform

2/8

123 4 5 6 7 8

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