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LCE30E3

更新时间: 2024-02-14 16:33:37
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 282K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

LCE30E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
最大击穿电压:40.7 V最小击穿电压:33.3 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.52 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

LCE30E3 数据手册

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