是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 300 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 18 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
L2114-3CB | ETC | x4 SRAM |
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L2114-3CE | ETC | x4 SRAM |
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L2114-UCA | ETC | x4 SRAM |
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L2114-UCB | ETC | x4 SRAM |
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L2114-UCE | ETC | x4 SRAM |
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L2116/P | DIALIGHT | Modular Terminal Block, 10A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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