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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TSOP2, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.71 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.8 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM416L8031BT-GFZ/Y/0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
|
| KM416L8031BT-GLZ/Y/0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
|
| KM416L8031BT-GY | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2- |
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| KM416L8031BT-GY0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66 |
|
| KM416L8031BT-GZ | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2- |
|
| KM416Q1004CTE-L7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
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| KM416Q1004CT-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
|
| KM416Q1004CT-L7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 |
|
| KM416RD16AC | SAMSUNG |
获取价格 |
128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| KM416RD16AD | SAMSUNG |
获取价格 |
128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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