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KK110F160

更新时间： 2024-01-14 03:53:54
品牌 Logo 应用领域
SANREX /
页数 文件大小 规格书
2页 618K
描述
THYRISTOR MODULE

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KK110F160 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：2G-2GR
螺丝端子的描述：2A-CK最大维持电流：50 mA
最大漏电流：20 mA通态非重复峰值电流：2600 A
元件数量：2最大通态电压：1.4 V
最大通态电流：110000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

KK110F160 数据手册

 浏览型号KK110F160的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE,KK  
PK  
110F  
UL:E76102 M  
Power Thyristor/Diode Module PK110F series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide  
voltage ratings up to 1,600V are available. High precision 25mm (1inch) width package  
and electrically isolated mounting base make your mechanical design easy.  
T(AV)  
T(RMS) TSM  
110A, I 172A, I  
I
2550A  
di/dt 200 A/  
dv/dt 500V/  
s
s
Applications  
Various rectifiers  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
PK  
PD  
PE  
KK  
Static switches  
Unit  
A
Maximum Ratings  
Ratings  
PK110F80 PK110F120  
PK110F40  
PD110F40  
PE110F40  
KK110F40  
PK110F160  
PD110F160  
PE110F160  
KK110F160  
Symbol  
Item  
Unit  
PD110F80  
PE110F80  
KK110F80  
PD110F120  
PE110F120  
KK110F120  
RRM  
V
V
V
400  
480  
400  
800  
960  
800  
1200  
1300  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
RSM  
DRM  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
110  
Unit  
A
A
T AV  
I
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Curren  
Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180 conduction, Tc 88  
Single phase, half wave, 180 conduction, Tc 88  
2cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-repetitive  
T RMS  
I
172  
1
TSM  
I
A
2300 2550  
/
2
2
2
I t  
Value for one cycle of surge current  
26500  
10  
A S  
I t  
GM  
P
W
W
A
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
G AV  
P
3
3
FGM  
I
FGM  
V
V
10  
5
200  
2500  
V
V
Peak Gate Voltage(Forward)  
Peak Gate Voltage(Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
RGM  
1
G
D
DRM  
2V  
G
di dt  
I
100mA Tj 25  
V
dI dt 0.1A  
s
A
s
/
V
/
/
ISO  
V
A.C.1minute  
Tj  
Tstg  
40  
40  
125  
125  
Mounting M5  
Terminal M5  
Recommended 1.5 2.5 15 25  
Recommended 1.5 2.5 15 25  
2.7 28  
2.7 28  
170  
Mounting  
Torque  
N
f B  
g
Mass  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
20  
20  
1.45  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
DRM  
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
at V  
at V  
, single phase, half wave, Tj 125  
, single phase, half wave, Tj 125  
On-State Current 350A, Tj 25 Inst. measurement  
RRM  
I
DRM  
TM  
V
100 3  
mA V  
GT  
I
GT  
T
D
V
Tj 25  
Tj 125  
T
I
1A  
D
V
6V  
/
/
GD  
V
0.25  
10  
500  
50  
100  
0.25  
V
s
DRM  
V
1/2V  
1
tgt  
G
D
V
DRM  
G
I
110A I 100mA Tj 25  
2V  
dI dt 0.1A  
s
/
/
2
D
DRM  
dv dt  
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
Lutching Current, typ.  
Thermal Impedance, max.  
Tj 125 , V  
Tj 25  
Tj 25  
Junction to case  
3V  
, Exponential wave.  
V
s
/
H
I
mA  
mA  
L
I
Rth j-c  
W
/
mark Thyristor and Diode part. No mark Thyristor part  
47  
12

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