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KD221K05HB

更新时间: 2024-01-09 17:48:56
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POWEREX 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 392K
描述
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 850V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

KD221K05HB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:850 V
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):400 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

KD221K05HB 数据手册

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