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KBU610G-LF

更新时间: 2024-01-15 21:16:43
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SURGE 局域网二极管
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4页 2625K
描述
Bridge Rectifier Diode,

KBU610G-LF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
其他特性:UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY最小击穿电压:1000 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KBU610G-LF 数据手册

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KBU610-LF WTE Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU,

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