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KBU4J/1-E4 PDF预览

KBU4J/1-E4

更新时间： 2024-02-27 13:41:37
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
DIODE 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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KBU4J/1-E4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.15
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSFM-W4JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Silver (Ag)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

KBU4J/1-E4 数据手册

 浏览型号KBU4J/1-E4的Datasheet PDF文件第2页 
KBU4A thru KBU4M  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Single-Phase Bridge Rectifier  
Reverse Voltage 50 and 1000 V  
Forward Current 4.0 A  
Case Style KBU  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
0.935 (23.7)  
0.895 (22.7)  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.6)  
0.185 (4.7)  
0.165 (4.2)  
• This series is UL listed under the Recognized  
Component Index, file number E54214  
• High case dielectric strength of 1500 VRMS  
• Ideal for printed circuit boards  
• Surge overload rating of 200A peak  
• Typical IR less than 0.1µA  
45o  
0.085 (2.2)  
0.065 (1.7)  
0.700  
(17.8)  
0.760  
(19.3)  
MAX.  
0.660  
(16.8)  
0.075 (1.9) R. TYP.  
(2 PLACES)  
0.455 (11.3)  
0.405 (10.3)  
• High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,  
5lbs. (2.3kg) tension  
1.0  
(25.4)  
MIN.  
0.052 (1.3)  
0.048 (1.2)  
DIA.  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic body  
0.220 (5.6)  
0.180 (4.6)  
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Mounting Position: Any (NOTE 3)  
0.240 (6.09)  
0.200 (5.08)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
Weight: 0.3 oz., 8.0 g  
Packaging codes/options:  
1/250 EA. per Bulk Tray Stack  
0.280 (7.1)  
0.260 (6.6)  
0.205 (5.2)  
0.185 (4.7)  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
KBU  
Symbols 4A  
KBU  
4B  
KBU  
4D  
KBU  
4G  
KBU KBU KBU  
4J  
4K  
800  
560  
800  
4M  
1000  
700  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward  
rectified output current at  
TC=100°C (1)  
TA=30°C (2)  
4.0  
4.0  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current single  
sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
200  
A
Typical thermal resistance per leg (2)  
RΘJA  
RΘJL  
19  
4.0  
°C/W  
°C  
(1)  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
-50 to +150  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum instantaneous forward drop per leg  
at 4.0 A  
VF  
1.0  
V
Maximum DC reverse current at rated TA= 25°C  
5.0  
1.0  
µA  
mA  
IR  
DC blocking voltage per leg  
TA=125°C  
Notes:  
(1) Units mounted on a 2.0 x 1.6 x 0.3" thick (5 x 4 x 0.8cm.) Al. Plate  
(2) Units mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12mm) copper pads and 0.375" (9.5mm) lead length  
(3) Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw  
Document Number 88656  
08-Jul-02  
www.vishay.com  
1
12

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与KBU4J/1-E4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU4J/51-E4 VISHAY

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 		DIODE 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Rectif
KBU4J/72-E4 VISHAY

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 		DIODE 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Rectif
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 		Rectifier Diode,
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KBU4K GOOD-ARK

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 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
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 		4.0A/6.0A/8.0A SINGLE - PHASE SILICON BRIDGE

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