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KBU1002

更新时间： 2024-01-16 06:27:14

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KISEMICONDUCTOR		二极管局域网
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2页	69K
描述
10 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts

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KBU1002 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

KBU1002 数据手册

KBU1001

THRU

KI SEMICONDUCTOR

KBU1007

Features

10 Amp Single Phase

Bridge Rectifier

Low Leakage

Low Forward Voltage

Any Mounting Position

Silver Plated Copper Leads

50 to 1000 Volts

KBU

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

Catalog

Number

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

KBU1001

KBU1002

KBU1003

KBU1004

KBU1005

KBU1006

KBU1007

KBU10A

KBU10B

KBU10D

KBU10G

KBU10J

KBU10K

KBU10M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000v

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

10 A

T_J= 65°C

I_FSM

300A

8.3ms, half sine

Maximum Forward

Voltage Drop Per

Element

V_F

1.1V

I_FM= 5.0A;

T_J= 25°C*

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

MIN

---

3.8Æ

---

25.40

---

DIM

MAX

.925

.763

.680

.23L

.300

.157

---

.050

.280

.075

.200

MAX

NOTE

23.50

19.40

17.20

5.57L

7.50

4.00

---

1.30

7.00

1.90

5.10

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

NOM

HOLE

NOM

I_R

10mA

100mA

T_J= 25°C

T_J= 100°C

.15Æ

---

1.00

---

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%

TYP

---

NOM

3PL

---

KI SEMICONDUCTOR

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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