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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBPC3510W-G
KBPC3510W-G PDF预览

KBPC3510W-G

更新时间： 2024-02-03 01:41:25
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上华 - COMCHIP 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBPC3510W-G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：S-PUFM-W4针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.11Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：S-PUFM-W4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBPC3510W-G 数据手册

 浏览型号KBPC3510W-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBPC3510W-G的Datasheet PDF文件第3页 
COMCHIP  
Silicon Bridge Rectifiers  
SMD Diodes Specialist  
KBPC10005W-G Thru. KBPC5010W-G Series  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 10/15/25/35/50A  
RoHS Device  
KBPC-W  
Features  
-Surge overload-240~500 Amperes peak  
-Low forward voltage drop  
0.442(11.23)  
0.424(10.77)  
-Electrically isolated base -2000 Volts  
1.20(30.5)min  
-Materials used carries U/L recognition  
0.042(1.07)  
0.038(0.97)  
Hole for  
No.8 screw  
193"(4.9)diam  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
Mechanical Data  
-Polarit:As marked on Body  
-Mounting position:Any  
-Weight: 25.95grams  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
0.732(18.60)  
0.693(17.60)  
0.469(11.90)  
0.429(10.90)  
0.732(18.60)  
0.693(17.60)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25 OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBPC_W-G KBPC_W-G KBPC_W-G KBPC_W-G KBPC_W-G KBPC_W-G KBPC_W-G  
Unit  
10005  
15005  
25005  
35005  
50005  
50  
1001  
1501  
1002  
1502  
2502  
3502  
5002  
200  
1004  
1504  
2504  
3504  
5004  
400  
1006  
1506  
2506  
3506  
5006  
600  
1008  
1508  
2508  
3508  
5008  
800  
1010  
1510  
V
V
V
V
V
V
V
Symbol  
Parameter  
2501  
3501  
5001  
100  
2510  
3510  
5010  
1000  
700  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
RRM  
RRM  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
V
DC  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Symbol  
KBPC10  
10  
KBPC15  
KBPC25  
25  
KBPC35  
KBPC50  
50  
Parameter  
Maximum Average Forward  
Rectified Output Current @Tc=55°C  
Unit  
I(AV)  
15  
35  
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
240  
300  
400  
400  
500  
A
Maximum Forward Voltage Drop Per Element  
at 5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak  
VF  
1.1  
V
Maximum Reverse Current at rate  
DC Blocking Voltage Per Element @ TJ=25°C  
μA  
IR  
10.0  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
T
J
TSTG  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR56  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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