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KBPC2502W

更新时间： 2024-01-01 11:15:43

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GENESIC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	334K
描述
Single Phase Silicon Bridge Rectifier

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KBPC2502W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-PUFM-W4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	200 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

KBPC2502W 数据手册

KBPC25005T/W thru KBPC2504T/W

V_RRM= 50 V - 400 V

I_O= 25 A

Single Phase Silicon

Bridge Rectifier

Features

• High efficiency

• Silicon junction

• Metal case

• Types from 50 V to 400 V V_RRM

• Not ESD Sensitive

KBPC-T/W Package

Mechanical Data

Case: Mounted in the bridge encapsulation

Mounting: Hole for #10 screw

Polarity: Marked on case

Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified (KBPCXXXXT uses KBPC-T package while KBPCXXXXW

uses KBPC-W package)

KBPC2502T/W KBPC2504T/W

KBPC25005T/W KBPC2501T/W

Conditions

Parameter

Symbol

Unit

V_RRM

V_RMS

V_DC

T_j

200

140

400

280

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

100

200

400

DC blocking voltage

100

-55 to 150

Operating temperature

Storage temperature

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified

Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load derate current by 20%

KBPC2502T/W KBPC2504T/W

KBPC25005T/W KBPC2501T/W

Conditions

Parameter

Symbol

Unit

Maximum average forward rectified

current

T_c= 55 °C

I_O

350

1.1

350

1.1

350

1.1

350

1.1

8.3 ms half sine-wave

I_F= 12.5 A

I_FSM

V_F

Peak forward surge current

Maximum instantaneous forward

voltage per leg

T_c= 25 °C

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per leg

I_R

μA

T_c= 100 °C

500

300

500

300

500

300

500

300

Typical junction capacitance ¹

Thermal characteristics

Typical thermal resistance ²

C_j

R_ΘJC

°C/W

1.9

¹- Measured ay 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V D.C.

²- Device mounted on 300 mm x 300 mm x 1.6 mm Cu plate heatsink

www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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