KBPC1001G

更新时间： 2024-01-29 02:05:36

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描述
10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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KBPC1001G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-PUFM-W4	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.26	其他特性：	UL RECOGNIZED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBPC1001G 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

KBPC1000G/W – KBPC1010G/W

10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Low Reverse Leakage Current

Low Power Loss, High Efficiency

Electrically Isolated Epoxy Case for

Maximum Heat Dissipation

Case to Terminal Isolation Voltage 2500V

Mechanical Data

Case: Epoxy Case with Heat Sink Internally

Mounted in the Bridge Encapsulation

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Symbols Marked on Case

Mounting: Through Hole for #10 Screw

Metal Heat Sink

KBPC-G

KBPC-GW

KBPC-G

KBPC-GW

Dim

Min

Max

Min

Max

28.70

11.23

19.10

11.90

—

28.40

10.97

15.70

17.50

22.86

28.70

11.23

16.70

18.50

25.40

28.40

10.97

17.10

10.90

30.50

Weight:

KBPC-G

KBPC-GW

24 grams (approx.)

21 grams (approx.)

Marking: Type Number

"W” Suffix Designates Wire Leads

No Suffix Designates Faston Terminals

Hole for #10 screw, 5.08Ø Nominal

6.35 Typical 0.97Ø 1.07Ø

All Dimension in mm

*All Models are Available on B(Height)=7.9mm Max. Epoxy Case

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

KBPC

Characteristic

Symbol

Unit

1000G/W 1001G/W 1002G/W 1004G/W 1006G/W 1008G/W 1010G/W

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

Average Rectified Output Current @T_A= 50°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

I^FSM

200

Forward Voltage (per element)

@I_F= 5.0A

V^FM

I^RM

1.1

Peak Reverse Current

@T_C= 25°C

5.0

500

µA

At Rated DC Blocking Voltage @T_C= 125°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

C^j

300

5.3

K/W

R^ꢀ^JC

V^ISO

RMS Isolation Voltage from Case to Lead

Operating and Storage Temperature Range

2500

T^j, T^STG

-65 to +150

°C

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Thermal resistance junction to case per element mounted on heatsink.

KBPC1000G/W – KBPC1010G/W

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