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KBP408G-BP

更新时间： 2024-02-23 21:27:07

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美微科 - MCC		二极管
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3页	400K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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KBP408G-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	110 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBP408G-BP 数据手册

M C C

KBP4005G

THRU

KBP410G

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

4 Amp

Bridge Rectifier

50 to 1000 Volts

High Surge forward current capability

Ideal for printed circuit board

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Maximum Ratings

GBP

50 A²S

•

I t Rating for Fusing(t<8.3ms):

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

UL Recognized File # E165989

•

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

KBP4005G

KBP401G

KBP402G

KBP404G

KBP406G

KBP408G

KBP410G

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

KBP4005G

KBP401G

KBP402G

KBP404G

KBP406G

KBP408G

KBP410G

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

14.25

10.10

14.25

1.80

1.22

0.76

3.70

3.35

DIM

MIN

.561

.406

.561

.071

.048

.030

.146

.131

MAX

.580

.417

.581

.087

.056

.034

.154

.144

MAX

14.75

10.60

14.73

2.20

1.42

0.86

NOTE

Average Forward

Current

I_F(AV)

4.0A

T_C= 70°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

8.3ms, half sine

110A

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

3.90

3.65

I_FM= 2.0A

T_A= 25°C

V_F

1.05V

10µA

.031

.106 x45

.014

.043

0.80

2.70x45

0.35

1.10

.022

0.55

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

T_A= 25°C

47℃/W

10℃/W

θJA

Thermal Resistance

Case Type

θJC

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2016/10/25

12 3

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与KBP408G-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBP408K	MDD	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP410	GXELECTRONICS	获取价格	Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000V
KBP410	LGE	获取价格	普通整流桥
KBP410G	MCC	获取价格	Bulk: 35pcs/Tube, 4.2Kpcs/Ctn;
KBP410G	DIODES	获取价格	4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP410G(LS)	DIODES	获取价格	4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBP410G-BP	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
KBP410GS	MCC	获取价格	Bulk: 35pcs/Tube, 4.2Kpcs/Ctn;
KBP410K	MDD	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP4M(LS)	DIODES	获取价格	4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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