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KBJ25G

更新时间： 2024-02-01 20:00:12
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBJ-6, 4 PIN

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KBJ25G 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76Base Number Matches：1

KBJ25G 数据手册

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SENSITRON  
KBJ25A – KBJ25Q  
SEMICONDUCTOR  
25A BRIDGE RECTIFIER  
Data sheet 1278, Rev. C  
ꢀ
Features  
ꢀ
Diffused Junction  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
A
G
KBJ-6  
B
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.7  
19.7  
Max  
Min  
Max  
C
+
~
~
-
30.3 1.169 1.193  
20.3 0.776 0.799  
5.0  
18.0 0.669 0.709  
4.2 0.150 0.165  
0.197  
—
—
H
K
R
D
17.0  
3.8  
J
E
G
H
J
3.1 Ø 3.4 Ø 0.122 0.134  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
P
R
2.3  
0.9  
1.8  
0.6  
4.8  
4.05  
9.8  
7.3  
11.8  
3.2  
2.7  
1.1  
2.2  
0.8  
5.3  
0.091 0.106  
0.035 0.043  
0.071  
Case: Molded Plastic  
K
L
0.087  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 4.0 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
M
0.024 0.031  
0.189 0.209  
N
M
N
P
4.35 0.159 0.171  
10.2 0.386 0.402  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
R
S
7.7  
0.287 0.303  
S
12.2 0.465 0.480  
3.4 0.126 0.134  
Marking: Type Number  
G
T
In mm  
In inch  
T
L
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
KBJ  
25A  
KBJ  
25B  
KBJ  
25D  
KBJ  
25G  
KBJ  
25J  
KBJ  
25K  
KBJ  
25M  
KBJ  
25Q  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
1200  
840  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
(Note 1)  
25  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
300  
1.1  
A
Forward Voltage (per element)  
@IF = 12.5A  
VFM  
IR  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
10  
200  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 100°C  
Typical Thermal Resistance (per leg) (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
R
JC  
0.6  
°C/W  
°C  
θ
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Device mounted on 220 x 220 x 1.6mm thick AL plate heatsink.  
•ꢀꢁꢁꢂꢀꢃꢄꢅꢆꢀꢇꢈꢉꢊꢅꢆꢋꢌꢀꢍꢎꢊꢋꢆꢀꢀ!ꢀꢀꢏꢄꢄꢋꢀꢐꢑꢋꢒꢓꢀꢔꢕꢀꢀꢂꢂꢖꢁꢗꢘꢙꢚꢛꢂꢀꢀ!ꢀꢜꢚꢝꢂꢞꢀ ꢛꢚꢘꢖꢚ!!ꢀꢀ"#$ꢀꢜꢚꢝꢂꢞꢀꢁꢙꢁꢘꢗꢖꢗꢛꢀ•ꢀ  
•ꢀꢃꢎꢋ%ꢉꢀꢃ&ꢉꢄꢀꢃꢄ'ꢀ(&ꢆꢄꢀꢘꢀ)ꢆꢆ*+,,---.ꢅꢄꢈꢅ&ꢆꢋꢎꢈ./ꢎ0ꢀ•ꢀ1ꢘ2ꢑ&%ꢀ#ꢉꢉꢋꢄꢅꢅꢀꢘꢀꢅꢑ%ꢄꢅ3ꢅꢄꢈꢅ&ꢆꢋꢎꢈ./ꢎ0ꢀ•ꢀ  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBJ25G-LF SURGE

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 		Bridge Rectifier Diode,
KBJ25J WTE

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