KBJ25B

更新时间： 2024-02-26 05:35:55

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WTE		整流二极管桥式整流二极管
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3页	51K
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25A BRIDGE RECTIFIER

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KBJ25B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBJ25B 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

KBJ25A – KBJ25M

25A BRIDGE RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

KBJ-6

Dim

Min

29.7

19.7

4.7

Max

30.3

20.3

4.9

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ H

17.0

3.8

18.0

4.2

3.1Ø

2.3

3.4Ø

2.7

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

0.9

1.1

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 4.0 grams (approx.)

Mounting Position: Any

2.0

2.4

0.6

0.7

4.4

4.8

3.4

—

9.8

10.2

7.7

Marking: Type Number

7.3

10.8

2.6

11.2

—

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

KBJ

25A

KBJ

25B

KBJ

25D

KBJ

25G

KBJ

25J

KBJ

25K

KBJ

25M

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

Average Rectified Output Current @T_C= 100°C

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

300

1.1

Forward Voltage (per element)

@I_F= 12.5A

V^FM

I^R

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

200

µA

°C

At Rated DC Blocking Voltage

@T_C= 100°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j,T^STG

-55 to +150

Note: 1. Device mounted on 7.5 x 7.5 x 0.8cm thick AL plate heatsink.

KBJ25A – KBJ25M

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