Datasheet > K9K1216D0C-HIB00

K9K1216D0C-HIB00

更新时间： 2024-10-01 05:49:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	361K
描述
32MX16 FLASH 2.7V PROM, 45ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9K1216D0C-HIB00 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	63
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 16M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	长度：	11 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	63	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.65 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm

K9K1216D0C-HIB00 数据手册

K9K1208Q0C

K9K1208D0C

K9K1208U0C

K9K1216Q0C

K9K1216D0C

K9K1216U0C

FLASH MEMORY

Document Title

64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Sep. 12th 2002

Advance

1.0

1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed.

(before) DNU --> (after) N.C

Jan. 3rd 2003

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 34)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 35)

4. Add the specification of Block Lock scheme.(Page 29~32)

5. Pin assignment of TBGA A3 ball is changed.

(before) N.C --> (after) Vss

2.0

1. The Maximum operating current is changed.

Read : Icc1 20mA-->30mA

Program : Icc2 20mA-->40mA

Erase : Icc3 20mA-->40mA

Jan. 17th 2003

Preliminary

2.1

2.2

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

Mar. 5th 2003

K9K12XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Pb-free Package is added.

K9K1208U0C-HCB0,HIB0

K9K12XXQ0C-HCB0,HIB0

K9K1216U0C-HCB0,HIB0

K9K1216Q0C-HCB0,HIB0

Mar. 13rd 2003

2.3

2.4

Errata is added.(Front Page)-K9K12XXQ0C

tWC tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Mar. 17th 2003

Apr. 4th 2003

Specification

25 30

Relaxed value 60 40 60 20 40 40

1. Max. Thickness of TBGA packge is changed.

0.09±0.10(Before) --> 1.10±0.10(After)

2. New definition of the number of invalid blocks is added.

(Minimum 1004 valid blocks are guaranteed for each contiguous 128Mb

memory space.)

1. The guidence of LOCKPRE pin usage is changed.

Don’ t leave it N.C. Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-

READ, connect it Vss.(Before)

2.5

Jul. 4th 2003

--> Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-READ, connect

it Vss or leave it N.C(After)

2. 2.65V device is added.

3. Note is added.

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’ s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

12 3 4 5 6 7...39

中文翻译

下载PDF

与K9K1216D0C-HIB00相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9K1216D0C-JCB0T	SAMSUNG	获取价格	IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
K9K1216D0C-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9K1216D0C-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
K9K1216Q0C	SAMSUNG	获取价格	64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1216Q0C-DCB0	SAMSUNG	获取价格	IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
K9K1216Q0C-DCB00	SAMSUNG	获取价格	32MX16 FLASH 1.8V PROM, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
K9K1216Q0C-DIB00	SAMSUNG	获取价格	32MX16 FLASH 1.8V PROM, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
K9K1216Q0C-GCB0	SAMSUNG	获取价格	IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
K9K1216Q0C-GIB0	SAMSUNG	获取价格	IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
K9K1216Q0C-GIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

与K9K1216D0C-HIB00相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

31
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9K1216D0C-HIB00

K9K1216D0C-HIB00 技术参数

K9K1216D0C-HIB00 数据手册

与K9K1216D0C-HIB00相关器件

与K9K1216D0C-HIB00相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9K1216D0C-HIB00

K9K1216D0C-HIB00 技术参数

K9K1216D0C-HIB00 数据手册

与K9K1216D0C-HIB00相关器件

与K9K1216D0C-HIB00相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？