Datasheet > K9F1208B0C-PCB0T

K9F1208B0C-PCB0T

更新时间： 2024-01-17 13:04:01

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9F1208B0C-PCB0T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	4K
端子数量：	48	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO

K9F1208U0C

K9F1208R0C K9F1208B0C

FLASH MEMORY

PIN CONFIGURATION (FBGA)

K9F1208X0C-JCB0/JIB0

N.C N.C

N.C

/WP ALE Vss /CE /WE R/B

/RE CLE NC

NC NC

NC I/O0 NC

Vcc

NC I/O1 NC VccQ I/O5 I/O7

Vss I/O2 I/O3 I/O4 I/O6 Vss

N.C N.C

Top View

1 2 3 456 7 8...38

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K9F1208B0C-PIB0	SAMSUNG	Flash, 64MX8, 30ns, PDSO48, TSOP1-48	获取价格
K9F1208B0CPIB00	SAMSUNG	64MX8 FLASH 2.7V PROM, 40ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-	获取价格
K9F1208B0C-PIB00	SAMSUNG	暂无描述	获取价格
K9F1208B0C-PIB0T	SAMSUNG	Flash, 64MX8, 30ns, PDSO48	获取价格
K9F1208D0A	SAMSUNG	64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory	获取价格
K9F1208D0A-DCB00	SAMSUNG	Flash, 64MX8, 30ns, PBGA63, TBGA-63	获取价格