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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.17 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| 启动块： | BOTTOM | JESD-30 代码： | R-PBGA-B44 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K8S5415EBC-SE1D0 | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA- |
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| K8S5415EBC-SE1E0 | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA- |
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| K8S5415ETB-DC1C0 | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-DC1CT | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-DC1DT | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-DE1C0 | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-DE1D0 | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-DE1DT | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-FC1C0 | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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| K8S5415ETB-FC1DT | SAMSUNG |
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Flash Memory |
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