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K8P5616UZB-EE4E0

更新时间： 2024-02-11 23:22:54

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1160K
描述
Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

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K8P5616UZB-EE4E0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	80 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM/TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	64
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

K8P5616UZB-EE4E0 数据手册

Rev. 1.0, Jun. 2010

K8P5616UZB

256Mb B-die Page NOR FLASH

256M Bit (16M x16, 32M x8), Page Mode

datasheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K8P5616UZB-EI4E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P6415UQB-DC4B	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 60ns, PBGA48,
K8P6415UQB-DC4BT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 60ns, PBGA48
K8P6415UQB-DC4C	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 65ns, PBGA48
K8P6415UQB-DC4C0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 65ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48
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