是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | BGA, BGA165,11X15,40 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 0.45 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 450 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.5,1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.4 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.95 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7K3218T2C | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 DDRII+ CIO b2 SRAM | |
K7K3218T2C-EC330 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
K7K3218T2C-EC33T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | |
K7K3218T2C-EC400 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
K7K3218T2C-EI330 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K7K3218T2C-EI33T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K7K3218T2C-EI400 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
K7K3218T2C-FC40T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, | |
K7K3218T2C-FI330 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
K7K3218T2C-FI33T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 |