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K7A321800M-HC200

更新时间： 2024-01-26 14:17:42

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	353K
描述
Cache SRAM, 2MX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7A321800M-HC200 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	3.1 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7A321800M-HC200 数据手册

K7A323600M

K7A321800M

1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM

Document Title

1Mx36 & 2Mx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

1. Initial draft

May. 10. 2001

Aug. 29. 2001

Dec. 31. 2001

Advance

1. Add 165FBGA package

Preliminary

1. Update JTAG scan order

2. Speed bin merge.

From K7A3236(18)09M to K7A3236(18)00M.

3. AC parameter change.

tOH(min)/tHZC(min) from 0.8 to 1.5 at -25

tOH(min)/tHZC(min) from 1.0 to 1.5 at -22

tOH(min)/tHZC(min) from 1.0 to 1.5 at -20

0.3

0.4

1. Change pin out for 165FBGA

- x18/x36 ; 11B => from A to NC

Feb. 14. 2002

Apr. 20. 2002

Preliminary

, 2R ==> from NC to A .

1. Insert pin at JTAG scan order of 165FBGA in connection with pin out change

- x18/x36 ; insert Pin ID of 2R to BIT number of 69

0.5

1.0

1.1

1.2

1. Add Icc, Isb,Isb1 and Isb2 values

1. Correct the pin name of 100TQFP.

1. Add the Industrial temperature range.

1. Change the Stand-by current (Isb)

May.10. 2002

Oct. 15. 2002

Mar. 19, 2003

Oct. 17, 2003

Preliminary

Final

Before

Isb - 25 : 120

After

170

160

150

140

110

100

- 22 : 110

- 20 : 100

- 16 :

- 15 :

- 14 :

Isb1

Isb2

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

Oct. 2003

Rev 1.2

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7A321800M-HI140	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 2MX18, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7A321800M-HI150	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7A321800M-HI160	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7A321800M-HI200	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 2MX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7A321800M-HI220	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 2MX18, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
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