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K6X0808C1D-BF70T

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	117K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28

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K6X0808C1D-BF70T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP, SOP28,.45
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.45	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K6X0808C1D-BF70T 数据手册

K6X0808C1D Family

CMOS SRAM

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS¹⁾

Item

Symbol

Vcc

Min

4.5

Typ

Max

5.5

Unit

Supply voltage

Ground

5.0

Vss

Vcc+0.5²⁾

0.8

Input high voltage

Input low voltage

Note:

VIH

2.2

-0.5³⁾

VIL

1. Industrial Product: T^A=-40 to 85°C, Otherwise specified

Automotive Product: T^A=-40 to 125°C, Otherwise specified

2. Overshoot: Vcc+3.0V in case of pulse width≤30ns.

3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width≤30ns.

4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.

CAPACITANCE¹⁾(f=1MHz, TA=25°C)

Item

Input capacitance

Symbol

CIN

Test Condition

VIN=0V

Min

Max

Unit

Input/Output capacitance

CIO

VIO=0V

1. Capacitance is sampled, not 100% tested

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS

Item

Symbol

ILI

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Input leakage current

VIN=Vss to Vcc

-1

µA

Output leakage current

Operating power supply current

ILO

CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL, VIO=VSS to Vcc

IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIH or VIL, Read

ICC

Cycle time=1µs, 100% duty, IIO=0mA, CS≤0.2V,

VIN≤0.2VIN≥Vcc -0.2V

ICC1

Average operating current

ICC2

VOL

VOH

ISB

Cycle time=Min,100% duty, IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIH or VIL

0.4

Output low voltage

Output high voltage

Standby Current(TTL)

IOL=2.1mA

IOH=-1.0mA

2.4

CS=VIH, Other inputs=VIH or VIL

0.4

µA

K6X0808C1D-F

Standby Current (CMOS)

ISB1

CS≥Vcc-0.2V, Other inputs=0~Vcc

K6X0808C1D-Q

Revision 3.0

March 2005

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6X0808C1D-BQ700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28
K6X0808C1D-DF55	SAMSUNG	获取价格	32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-DF70	SAMSUNG	获取价格	32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-DF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28
K6X0808C1D-F	SAMSUNG	获取价格	32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-GF55	SAMSUNG	获取价格	32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-GF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
K6X0808C1D-GF55T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28
K6X0808C1D-GF70	SAMSUNG	获取价格	32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-GF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

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