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K6X0808C1D-BF70T

更新时间： 2023-06-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 117K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28

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K6X0808C1D-BF70T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP, SOP28,.45
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.45封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

K6X0808C1D-BF70T 数据手册

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K6X0808C1D Family  
CMOS SRAM  
32Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
• Process Technology: Full CMOS  
• Organization: 32K x 8  
The K6X0808C1D families are fabricated by SAMSUNG′s  
advanced CMOS process technology. The families support  
verious operating temperature ranges and have various pack-  
age types for user flexibility of system design. The families  
also support low data retention voltage for battery back-up  
operation with low data retention current.  
• Power Supply Voltage: 4.5~5.5V  
• Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
• Three state output and TTL Compatible  
• Package Type: 28-DIP-600B, 28-SOP-450,  
28-TSOP1-0813.4F/R  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
PKG Type  
Product Family Operating Temperature Vcc Range Speed  
Standby  
Operating  
(ISB1, Max) (ICC2, Max)  
28-DIP-600B, 28-SOP-450,  
28-TSOP1-0813.4F/R  
K6X0808C1D-F  
Industrial(-40~85°C)  
551)/70ns  
70ns  
15µA  
4.5~5.5V  
25mA  
K6X0808C1D-Q Automotive(-40~125°C)  
1. The parameters are tested with 50pF test load  
PIN DESCRIPTION  
50µA  
28-SOP-450, 28-TSOP1-0813.4F  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CS  
OE  
A11  
A9  
2
3
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
4
A8  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
WE  
A13  
A8  
5
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
6
2
28-TSOP  
Type1 - Forward  
7
8
3
9
4
A6  
10  
11  
12  
13  
14  
Row  
select  
A6  
Row  
Addresses  
Memory array  
5
A5  
A9  
A5  
A1  
A4  
6
A11  
OE  
A4  
A2  
A3  
28-DIP  
7
A3  
28-SOP  
8
14  
13  
12  
11  
10  
9
A3  
A4  
A10  
CS  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
A2  
A2  
A1  
9
A1  
A5  
A0  
A6  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A0  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
I/O Circuit  
A7  
A12  
A14  
VCC  
WE  
A13  
A8  
Column select  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
8
28-TSOP  
Type1 - Reverse  
7
6
Data  
cont  
5
4
A9  
3
A11  
Column Addresses  
2
1
A10  
OE  
Pin Name  
CS  
Function  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Write Enable Input  
Address Inputs  
Pin Name  
I/O1~I/O8  
Vcc  
Function  
CS  
Data Inputs/Outputs  
Power  
Control  
logic  
WE  
OE  
OE  
WE  
Vss  
Ground  
A0~A14  
NC  
No connect  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
2
Revision 3.0  
March 2005  
1234567...9

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与K6X0808C1D-BF70T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K6X0808C1D-BQ700 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28
K6X0808C1D-DF55 SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-DF70 SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X0808C1D-DF700 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28
K6X0808C1D-F SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
K6X0808C1D-GF55T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28
K6X0808C1D-GF70 SAMSUNG

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