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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 元件数量： | 6 |
| 相数： | 3 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K42120Z1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| K421530200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| K421534200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421535000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421535200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421538000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421538200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421539000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K421539200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| K42160B1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
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