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JST24A-600C

更新时间： 2023-12-06 20:10:25

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
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描述
四象限双向可控硅

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JST24A-600C 数据手册

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JST24A-600C

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS

FIG.2: RMS on-state current versus case

on-state current

temperature

I_T(RMS)(A)

30

P(W)

45

40

35

30

25

20

15

10

5

79℃

25

20

15

10

5

0

0

0

5

10

15

20

25

30

0

25

50

75

100

125

I

_T(RMS)(A)

T_C(℃)

FIG.3: Surge peak on-state current versus

FIG.4: On-state characteristics

number of cycles

I_TM(A)

I_TSM(A)

300

Tj=25℃ typ

Tj=25℃ max

Tj=125℃ typ

T =25℃,t_p=20ms,one cycle,sine

c

100

250

200

150

100

50

10

0

1

0

0.5

1

1.5

V_TM(V)

2

2.5

3

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

Number of cycles

FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state

current for a sinusoidal pulse with width t_p

<20ms, and corresponding value of I²t

(Ⅰ-Ⅱ: dI/dt<80A/μs;Ⅲ-Ⅳ: dI/dt<40A/μs)

FIG.6: Relative variations of gate trigger

current, holding current and latching

current versus junction temperature

I_TSM(A), I²t(A²s)

10000

I

_GT,I_H,I_L(Tj)/I_GT,I_H,I_L(T_j=25℃)

IGT(I/II/III)

3

2.5

2

dI/dt_(I/II)

IGT(IV)

I_TSM

IH

IL

1000

dI/dt_(III/IV)

I²t

100

1.5

1

10

1

0.5

0

0.01

0.1

1

10

‐40

‐20

0

20

40

60

80

100

120

140

T_j(℃)

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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