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JANTXV1N4454-1

更新时间： 2024-09-29 21:54:55

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美高森美 - MICROSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	118K
描述
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

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JANTXV1N4454-1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.13
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/144
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向电流：	0.1 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JANTXV1N4454-1 数据手册

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1N4454,

1N4454-1

Applications

Used in general purpose applications,

where performance and switching

speed are important.

DO-35 Glass Package

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Features

Six sigma quality

Metallurgically bonded

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

LL-34/35 MELF SMD available

Full approval to Mil-S-19500 /144

Available up to JANTXV-1 levels

1.53-2.28 mm

"S" level screening available to Source Control Drawings

Maximum Ratings

Symbol

PIV

I_Avg

Value

75 (Min.)

200

Unit

Volts

mAmps

Amp

mWatts

^oC

Peak Inverse Voltage @ 5µA & 0.1µA @ -55^oC

AverageRectifiedCurrent

Continuous Forward Current

I_Fdc

300

Peak Surge Current (t_peak= 1 sec.)

Power Dissipation T_L= 50 ^oC, L = 3/8" from body

Operating Temperature Range

I_peak

P_tot

1.0

500

T_Op

T_St

200

Storage Temperature Range

Electrical Characteristics @ 25^oC*

-65 to +200

Limits

^oC

Symbol

V_F

Unit

Forward Voltage @ I_F= 10 mA

1.0(max)

75 (min)

Volts

µA

Breakdown Voltage @ I_R= 5 µA

Reverse Leakage Current @ V_R= 50 V

PIV

I_R

0.1 (max)

100 (max)

2.0 (max)

Reverse Leakage Current @ V_R= 50 V, T=150 C

Capacitance @ V_R= 0 V, f = 1mHz

I_R

µA

C_T

Reverse Recovery Time (note 1)/(note 2)

Forward Recovery Voltage (note 3)

t_rr

2.0/4.0 (max) nSecs

3.0 (max) Volts

V_fr

Note 1: Per Method 4031-A with I_F= I_R= 10 mA, R_L= 100 Ohms, C = 3 Pf.

Note 2: Per Method 4031-A with I_F= 10 mA, R_L= 100 Ohms, Vr = 6 V, Recover to 1.0 mA.

Note 3: Per Method 4026 with I_F= 100 mA, R_L= 50 Ohms,Peak Square wave ,100 nSec Pulse Width, tr<30 nSec,repe-

tition Rate = 5 - 100 KHz.

* Unless Otherwise Specified

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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JANTXV1N4454-1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN1N4454-1	MICROSEMI	类似代替	Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
1N4150	DIOTEC	功能相似	Silicon Planar Diodes
1N4454-1	MICROSEMI	功能相似	COMPUTER DIODE

与JANTXV1N4454-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N4454R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N4454UR-1	MICROSEMI	获取价格	MINI-MELF-SMD Silicon Swithching Diode
JANTXV1N4458	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N4458R	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N4459	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N4459R	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N4460	MICROSEMI	获取价格	1.5 WATT ZENER DIODES
JANTXV1N4460	CDI-DIODE	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR
JANTXV1N4460C	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS P
JANTXV1N4460CME3	MICROSEMI	获取价格	VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES

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