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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTX1N4148UR-1
JANTX1N4148UR-1 PDF预览

JANTX1N4148UR-1

更新时间： 2024-01-19 15:12:16
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
SWITCHING DIODE

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JANTX1N4148UR-1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.66
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

JANTX1N4148UR-1 数据手册

 浏览型号JANTX1N4148UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N4148UR-1  
and  
• 1N4148UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/116  
CDLL4148  
• SWITCHING DIODE  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +200°C  
Storage Temperature: -65°C to +200°C  
Operating Current: 200 mA @ T = + 25°C  
A
Derating Factor: 1.14 mA/°C Above T = + 25°C  
A
Surge Current A: 2A, sine wave, P = 8.3ms  
w
Surge Current B: 1.41A, square wave, P = 8.3ms  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
V
V
t
rr  
f 1  
= 10 mA  
f 2  
V
V
I
I
I
= 100 mA  
BR  
RWM  
0
@
F
@
F
(Note 1)  
@100µA  
FIGURE 1  
DESIGN DATA  
Volts  
100  
Volts (pk)  
75  
mA  
200  
V dc  
0.8  
V dc  
1.2  
n sec  
5
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)  
I
I
I
I
R1  
R2  
R3  
@ 20 V  
R4  
@ 75 V  
CAPACITANCE CAPACITANCE  
@ 20 V dc  
@ 75 V dc  
@ 0 V  
@ 1.5 V  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
T
= 150°C  
µA  
T
= 150°C  
µA  
A
A
THERMAL RESISTANCE (R  
100 °C/W maximum AT L = 0  
):  
OJEC  
nA  
25  
µA  
0.5  
pF  
pF  
35  
75  
4.0  
2.8  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 70  
OJX  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
113  
12

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JANTX1N4148UR-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CDLL4148 MICROSEMI

类似代替

 SWITCHING DIODE
PMLL4148LT/R NXP

功能相似

 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

与JANTX1N4148UR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N4148UR-1T/R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, M
JANTX1N4150 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTX1N4150-1 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
JANTX1N4150-1 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
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