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JANKC1N5286 PDF预览

JANKC1N5286

更新时间： 2024-09-30 21:04:15
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
Current Regulator Diode, 0.3mA I(S), 1V V(L), Silicon, DIE-1

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JANKC1N5286 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE-1
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：CURRENT REGULATOR DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
最大限制电压：1 V元件数量：1
端子数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/463
标称调节电流 (Ireg)：0.3 mA表面贴装：YES
技术：FIELD EFFECT端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

JANKC1N5286 数据手册

 浏览型号JANKC1N5286的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N5283 THRU 1N5314 AVAILABLE IN JANHC AND JANKC  
PER MIL-PRF-19500/463  
CD5283  
thru  
• CURRENT REGULATOR CHIPS  
CD5314  
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE  
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5283 THRU 1N5314  
• CONSTANT CURRENT OVER WIDE VOLTAGE RANGE  
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,  
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -55°C to +175°C  
Storage Temperature: -55°C to +175°C  
Peak Operating Voltage: 100 VOLTS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
MINIMUM  
DYNAMIC  
MINIMUM  
KNEE  
MAXIMUM  
REGULATOR CURRENT  
IMPEDANCE  
IMPEDANCE  
LIMITING  
VOLTAGE  
@ l = 0.8 lp (min)  
L
TYPE  
NUMBER  
lp (mA) @ V = 25V  
@V = 25V  
@V = 6.0 V  
T
T
T
K
K
(Note 3)  
MIN  
Z
(MΩ)  
Z
(MΩ)  
NOM  
MAX  
(Note 1)  
(Note 2)  
V
(VOLTS)  
L
CD5283  
CD5284  
CD5285  
CD5286  
CD5287  
0.22  
0.24  
0.27  
0.30  
0.33  
0.198  
0.216  
0.243  
0.270  
0.297  
0.242  
0.264  
0.297  
0.330  
0.363  
25.0  
19.0  
14.0  
9.0  
2.75  
2.35  
1.95  
1.60  
1.35  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
BACKSIDE IS CATHODE  
A = Anode  
6.6  
CD5288  
CD5289  
CD5290  
CD5291  
CD5292  
0.39  
0.43  
0.47  
0.56  
0.62  
0.351  
0.387  
0.423  
0.504  
0.558  
0.429  
0.473  
0.517  
0.616  
0.682  
4.10  
3.30  
2.70  
1.90  
1.55  
1.00  
1.05  
1.05  
1.05  
1.10  
1.13  
0.870  
0.750  
0.560  
0.470  
CD5293  
CD5294  
CD5295  
CD5296  
CD5297  
0.68  
0.75  
0.82  
0.91  
1.00  
0.612  
0.675  
0.738  
0.819  
0.900  
0.748  
0.825  
0.902  
1.001  
1.100  
1.35  
1.15  
1.00  
0.880  
0.800  
0.400  
0.335  
0.290  
0.240  
0.205  
1.15  
1.20  
1.25  
1.29  
1.35  
DESIGN DATA  
CD5298  
CD5299  
CD5300  
CD5301  
CD5302  
1.10  
1.20  
1.30  
1.40  
1.50  
0.990  
1.08  
1.17  
1.26  
1.35  
1.210  
1.32  
1.43  
1.54  
1.65  
0.700  
0.640  
0.580  
0.540  
0.510  
0.180  
0.155  
0.135  
0.115  
0.105  
1.40  
1.45  
1.50  
1.55  
1.60  
METALLIZATION:  
Top: (Anode).......................Al  
Back: (Cathode)..................Au  
AL THICKNESS.......25,000 Å Min  
GOLD THICKNESS...4,000 Å Min  
CHIP THICKNESS.............10 Mils  
CD5303  
CD5304  
CD5305  
CD5306  
CD5307  
1.60  
1.80  
2.00  
2.20  
2.40  
1.44  
1.62  
1.80  
1.98  
2.16  
1.76  
1.98  
2.20  
2.42  
2.64  
0.475  
0.420  
0.395  
0.370  
0.345  
0.092  
0.074  
0.061  
0.052  
0.044  
1.65  
1.75  
1.85  
1.95  
2.00  
CD5308  
CD5309  
CD5310  
CD5311  
CD5312  
2.70  
3.00  
3.30  
3.60  
3.90  
2.43  
2.70  
2.97  
3.24  
3.51  
2.97  
3.30  
3.63  
3.96  
4.29  
0.320  
0.300  
0.280  
0.265  
0.255  
0.035  
0.029  
0.024  
0.020  
0.017  
2.15  
2.25  
2.35  
2.50  
2.60  
TOLERANCES: ALL Dimensions  
+ 2 mils, Except Anode Pad  
Where Tolerance is + 0.1 mils.  
CD5313  
CD5314  
4.30  
4.70  
3.87  
4.23  
4.73  
5.17  
0.245  
0.235  
0.014  
0.012  
2.75  
2.90  
NOTE 1  
NOTE 2  
NOTE 3  
Z
Z
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V .  
T T  
T
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V .  
K
K
K
I
P
is read using a pulse measurement, 10 milliseconds maximum.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANKC1N5286相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANKC1N5288 CDI-DIODE

获取价格

 		Current Regulator Diode, 0.39mA I(S), 1.05V V(L), Silicon, DIE-1
JANKC1N5289 MICROSEMI

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 		Current Regulator Diode, 0.47mA I(S), 1.05V V(L), Silicon, DIE-1
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