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JAN1N982B-1

更新时间: 2024-01-01 02:14:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

JAN1N982B-1 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.72其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/117标称参考电压:75 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:1.7 mA
Base Number Matches:1

JAN1N982B-1 数据手册

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